极端环境材料和器件技术

发布时间:2023-09-01浏览次数:87

方向一:抗辐射分立器件研制,立足我国电子元器件工艺生产线,系统揭示器件结构和工艺参数对辐射损伤的影响规律,阐明基于器件结构、工艺及版图进行抗辐射加固的原理与途径,建立电子元器件抗辐射正向加固技术途径,研制KFS产品。

方向二:抗辐射数字单元库研发,围绕纳米级体硅CMOS先进工艺节点(28nm)典型数字单元电路抗加设计开展研究,主要开展以下几个方面的研究工作,包括:(1)纳米级体硅CMOS先进工艺节点(28nm)半导体器件和电路中单粒子等辐照损伤物理过程、辐照效应精确数值模拟及模型研究;(2)明晰纳米级体硅CMOS先进工艺节点(28nm)SEE软错误产生的物理机制,揭示电路级软错误规律;(3)纳米级体硅CMOS先进工艺节点(28nm)单元电路的新型抗辐照加固拓扑结构、版图技术研究;抗加标准数字单元库的开发。


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