第九届国际青年学者神舟论坛物理学分论坛学术报告通知

按照学校关于举办第九届“国际青年学者神舟论坛”的通知安排，物理学分论坛将于12月24日开展系列学术报告讲座，欢迎感兴趣的师生参加。分论坛安排如下：

一、 分论坛时间：2023年12月24日9:00

二、 分论坛线下地址：理学楼717会议室

三、物理学分论坛日常安排

报告摘要

讲座一：微纳光子学

主讲人：王浩

报告简介：本报告围绕基于纳米尺度双光子聚合3D/4D打印的增材制造技术，以光学和光子学应用为重点，提出了双光子3D打印近完美光学器件的模型并实验证实，为3D打印超精密光学器件的制备和应用提供了基础；开发了一种新型4D打印形状记忆材料，并首次实现了亚微米尺度的可编程4D打印形状记忆效应，突破了当前最小结构尺寸10 μm的瓶颈，对超高精度柔性光子学、电子学和微纳可控机器人等的实现具有重要意义；实现了3D打印和电子束混合制备，为多尺度复杂微纳器件设计提供了新的可能。

讲座二：低维电子系统VN薄膜和EuTiO₃/KTaO₃异质结输运性质的研究

主讲人：邹雨婷

报告简介：低温下低维电子系统拥有丰富的能带结构和多样化的调控方法，可以利用磁场、电场、组分、应力等多种手段对其物理性质进行调控，这让其在半导体电子器件、量子计算和光学等领域具有广阔的应用前景。本报告主要介绍了本人博士期间在低温下对低维电子系统的性质进行研究，包括以下两部分：搭建了干式稀释制冷机，最低温可达51 mK;对氮化钒（VN）超导薄膜和钙钛矿氧化物异质结（EuTiO₃/KTaO₃和LaTiO₃/KTaO₃）界面处二维电子体系的低温电学输运性质展开研究。

讲座三：RV₆Sn₆的物性表征与调控研究

主讲人：张晓晓

报告简介：利用助熔剂法生长了系列稀土钒基笼目金属RV₆Sn₆(R= Tb - Tm)单晶，磁性表征表明RV₆Sn₆(R= Tb、Dy和Ho)分别在T_N= 4.4 K、3 K和2.5 K出现磁有序，而RV₆Sn₆(R= Er、Tm)直到0.4 K都没有形成长程磁有序。此外，RV₆Sn₆中不同的稀土离子呈现出迥异的磁各向异性。通过测试唯一具有电荷密度波（CDW）转变的ScV₆Sn₆单晶在不同静水压下的电阻率，发现其CDW转变温度随压力的提高逐渐向低温移动，在大约2 GPa时CDW在电阻的特征发生了显著改变，并在约2.4 GPa时被完全抑制，但没有发现超导。此外，我们还针对该体系中少见的重费米子材料YbV₆Sn₆开展了高压调控研究，结果表明压力可以逐渐抑制其Kondo效应，逐步提高磁有序温度，其磁基态可能在压力下发生了改变。